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标题
A New 4H-SiC Trench MOSFET With Improved Reverse Conduction, Breakdown, and Switching Characteristics
具有改进的反向导通、击穿和开关特性的新型4H-SiC沟槽MOSFET
相关领域
材料科学 沟槽 MOSFET JFET公司 光电子学 碳化硅 肖特基二极管 电容 二极管 肖特基势垒 击穿电压 电气工程 电压 场效应晶体管 纳米技术 晶体管 工程类 化学 复合材料 物理化学 图层（电子） 电极
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/10004030/09970482.pdf...
DOI
10.1109/ted.2022.3225121 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Jingwei Guo; Ping Li; Jie Jiang; Wei Zeng; Ruoyu Wang; et al
出版日期：2022-12-06
求助人
Ice 在 2025-08-09 21:17:20 发布自天津，悬赏 10 积分
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