| 标题 |
 Spatially Resolved Probabilities of Stacking Fault Formation in SiC Nanowires for Probing Growth Conditions SiC纳米线堆垛层错形成概率的空间分辨研究
相关领域
纳米线
堆积
材料科学
过饱和度
叠加断层
透射电子显微镜
凝聚态物理
化学物理
分子物理学
纳米技术
位错
复合材料
化学
热力学
物理
核磁共振
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of the Physical Society of Japan 作者：Masashi Kaneshige; Hideo Kohno 出版日期：2023-07-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
Criminology34
LPPQBB
浮游
Zx_1993
嘿嘿
Stella
风清扬
GingerF
Hilda007
那时花开
wlscj
iNk
赵yy
guozizi
不倦
amberzyc
Yini
andrele
彭于彦祖
子车茗
MchemG
无心的柚子
元谷雪
AC1号
皖公网安备34019202002308
