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标题
2.1 kV (001)- β -Ga2O3 vertical Schottky barrier diode with high-k oxide field plate
2.1 kV（001）-β-Ga2O3高k氧化物场板垂直肖特基势垒二极管
相关领域
击穿电压 肖特基二极管 材料科学 二极管 兴奋剂 肖特基势垒 光电子学 电介质 电场 电压 电气工程 物理 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0137935
DOI
10.1063/5.0137935 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Saurav Roy; Arkka Bhattacharyya; Carl Peterson; Sriram Krishnamoorthy
出版日期：2023-04-10
求助人
清新的沛蓝 在 2025-10-16 19:18:26 发布自浙江，悬赏 10 积分
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