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 Ultrahigh Current Vertical Channel‐All‐Around Indium–Gallium–Zinc–Oxide Field‐Effect Transistors Using Indium–Tin–Oxide Electrode with Sub‐100 nm Critical Dimension 使用临界尺寸低于100 nm的氧化铟锡电极的超高电流垂直沟道全方位氧化铟镓锌场效应晶体管
相关领域
铟
氧化铟锡
材料科学
电极
镓
锌
氧化物
光电子学
电流（流体）
电气工程
纳米技术
冶金
化学
图层（电子）
工程类
物理化学
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期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Chunyu Zhang; Chuanke Chen; Yanjun Tang; Kaiping Zhang; Congyan Lu; et al 出版日期：2025-03-13 |
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