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 Novel hybrid TFET-FinFET 12T SRAM cells with enhanced write margin and read performance 具有增强写入裕度和读取性能的新型混合TFET-FinFET 12T SRAM单元
相关领域
静态随机存取存储器
边距（机器学习）
计算机科学
计算机体系结构
并行计算
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纳米技术
计算机硬件
机器学习
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期刊：Integration 作者：Seyed Arman Sabaghpour; Behzad Ebrahimi; Pooya Torkzadeh 出版日期：2024-10-10 |
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