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 Self‐Rectifying Switching Memory Based on HfOx/FeOx Semiconductor Heterostructure for Neuromorphic Computing 用于神经形态计算的基于HfOx/FeOx半导体异质结构的自整流开关存储器
相关领域
神经形态工程学
异质结
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Haofeng Ran; Zhijun Ren; Jie Li; Bai Sun; Tongyu Wang; et al 出版日期：2024-12-05 |
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