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Large magnetoresistance and nonvolatile multi-level memory in VSi2N4/MoSiGeN4/VSi2N4 magnetic tunnel junctions 相关领域
材料科学
磁电阻
隧道磁电阻
凝聚态物理
非易失性存储器
磁存储器
光电子学
磁阻随机存取存储器
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铁磁性
量子隧道
自旋电子学
磁场
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期刊:Chinese Journal of Physics 作者:Jing-Run Wei; Wei-Kang Zhang; Zong-Liang Li; Chuan-Kui Wang; Xiao-Xiao Fu 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)