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 GaN FET Versus MOSFET Dead Time Losses Comparison in Half-Bridge Configuration GaN FET与MOSFET在半桥配置中的死区时间损耗比较
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期刊：2022 International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion (SPEEDAM) 作者：Salvatore Musumeci; Vincenzo Barba; Fausto Stella; Fabio Mandrile; Marco A. Palma 出版日期：2024-06-19 |
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