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 Double-Oxidant-Induced Slurry Reaction Mechanism and Performance on Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer 4H-SiC（0001）晶片化学机械抛光中双氧化剂诱导浆料反应机理及性能
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期刊：Langmuir 作者：Xin Song; Boyu Hu; J. C. Guo; Renke Kang; Shang Gao 出版日期：2024-12-06 |
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