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 GaAs MOSFETs with in situ Y2O3 dielectric: attainment of nearly thermally limited subthreshold slope and enhanced drain current via accumulation 具有原位Y2O3电介质的GaAs MOSFET：通过积累获得几乎热限制的亚阈值斜率和增强的漏极电流
相关领域
阈下斜率
材料科学
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MOSFET
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：J. Liu; L. Young; Y.H. Lin; Hsien-Wen Wan; Yi-Ting Cheng; et al 出版日期：2023-11-07 |
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