标题 |
![]() 具有原位Y2O3电介质的GaAs MOSFET:通过积累获得几乎热限制的亚阈值斜率和增强的漏极电流
相关领域
阈下斜率
材料科学
阈下传导
平面的
MOSFET
阈值电压
分析化学(期刊)
电介质
凝聚态物理
光电子学
电压
电气工程
化学
物理
晶体管
计算机图形学(图像)
色谱法
计算机科学
工程类
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:J. Liu; L. Young; Y.H. Lin; Hsien-Wen Wan; Yi-Ting Cheng; et al 出版日期:2023-11-07 |
求助人 |
高sir
在
2025-08-26 22:00:56 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|