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 The stability of 3C-SiC(1 1 1) on Si(1 1 1) thin films: First-principles calculation 3C-SiC（1 1 1）在Si（1 1 1）薄膜上的稳定性：第一性原理计算
相关领域
理论（学习稳定性）
材料科学
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期刊：Chemical Physics Letters 作者：Eric K.K. Abavare; Bright Kwakye-Awuah; O. A. Nunoo; Peter Amoako-Yirenkyi; G. Gebreyesus; et al 出版日期：2021-01-07 |
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