Infrared spectroscopy characterization of 3C–SiC epitaxial layers on silicon

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标题	Infrared spectroscopy characterization of 3C–SiC epitaxial layers on silicon 硅上3C-SiC外延层的红外光谱表征相关领域谱线材料科学基质（水族馆）硅外延折射率声子光学碳化硅红外光谱学图层（电子）光电子学物理凝聚态物理纳米技术海洋学天文量子力学地质学冶金
网址	https://doi.org/10.1088/0022-3727/45/49/495101
DOI	10.1088/0022-3727/45/49/495101 doi
其它	期刊：Journal of Physics D 作者：Olivier Pluchery; Jean‐Marc Costantini 出版日期：2012-11-09
求助人	xie 在 2025-09-05 14:52:38 发布自湖南，悬赏 10 积分
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