Characteristics of transport properties in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.35N channel HEMTs with low contact resistance and high breakdown voltage (&gt;2.5 kV)

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标题	Characteristics of transport properties in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.35N channel HEMTs with low contact resistance and high breakdown voltage (&gt;2.5 kV) 具有低接触电阻和高击穿电压（>2.5 kV）的超宽带隙Al0.65Ga 0.35 N沟道HEMT的输运特性相关领域材料科学宽禁带半导体光电子学接触电阻带隙击穿电压电压电气工程纳米技术工程类图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0256300
DOI	10.1063/5.0256300 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Swarnav Mukhopadhyay; Khush Gohel; Surjava Sanyal; Mayand Dangi; Rajnin Imran Roya; et al 出版日期：2025-04-01
求助人	米朗心在 2025-08-15 11:53:42 发布自四川，悬赏 10 积分
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