Ge doping of α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition and their application in Schottky barrier diodes

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标题	Ge doping of α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition and their application in Schottky barrier diodes
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/5.02074...
DOI	10.1063/5.0207432 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Takeru Wakamatsu; Yuki Isobe; Hitoshi Takane; Kentaro Kaneko; Katsuhisa Tanaka 出版日期：2024-04-18
求助人	Carlos 在 2026-09-17 15:14:11 发布自湖北，悬赏 10 积分
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