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 Mechanism of atomic layer deposition of SiO2 on the silicon (100)-2×1 surface using SiCl4 and H2O as precursors 相关领域
化学
原子层沉积
反应机理
吸附
硅
分子
物理化学
反应速率
密度泛函理论
计算化学
图层（电子）
催化作用
有机化学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Jeung Ku Kang; Charles B. Musgrave 出版日期：2002-03-01 |
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