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Monolayer MoS2 Steep-slope Transistors with Record-high Sub-60-mV/decade Current Density Using Dirac-source Electron Injection
采用Dirac源电子注入的具有创纪录的亚60mV/decade电流密度的单层MoS2陡坡晶体管
相关领域
单层
晶体管
场效应晶体管
石墨烯
光电子学
电子
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量子隧道
电容
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电流密度
半导体
物理
纳米技术
电极
电压
量子力学
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其它 |
期刊:2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Maomao Liu; Hemendra Nath Jaiswal; Simran Shahi; Sichen Wei; Yu Fu; et al 出版日期:2021-03-12 |
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