Numerical Study of a Vertical Tunneling Transistor Based on Gr/BC2N/BC6N and BC2N′/hBN/BC2N′ Heterostructures

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标题	Numerical Study of a Vertical Tunneling Transistor Based on Gr/BC2N/BC6N and BC2N′/hBN/BC2N′ Heterostructures 基于Gr/BC2N/BC6N和BC2N′/hBN/BC2N′异质结构的垂直隧穿晶体管的数值研究相关领域量子隧道异质结阈下摆动晶体管材料科学丝带离子非平衡态热力学凝聚态物理场效应晶体管光电子学物理量子力学电压复合材料
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00328
DOI	10.1021/acsaelm.3c00328 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Reza Abbasi; Rahim Faez; Ashkan Horri; Mohammad Kazem Moravvej-Farshi 出版日期：2023-07-13
求助人	cai 在 2024-04-13 13:31:49 发布自江苏，悬赏 10 积分
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