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 Gate‐Switchable BST Ferroelectric MoS2 FETs for Non‐Volatile Digital Memory and Analog Memristor 用于非易失性数字存储器和模拟忆阻器的栅极可切换BST铁电MoS2 FET
相关领域
材料科学
记忆电阻器
铁电性
非易失性存储器
光电子学
纳米技术
电气工程
电介质
工程类
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Chao Tan; Haijuan Wu; Mingwei Zhao; Xiaobing Jili; Lei Yang; et al 出版日期：2024-06-18 |
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