| 标题 |
 Fundamental understanding of the reliability issues of hafnium oxide-based ferroelectric field-effect transistors: A comprehensive review 相关领域
铁电性
神经形态工程学
桥接（联网）
材料科学
计算机科学
可靠性（半导体）
纳米技术
非易失性存储器
工程物理
制作
铁电RAM
随机存取存储器
领域（数学分析）
钥匙（锁）
计算机体系结构
主流
电气工程
超级计算机
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Agniva Paul; Apu Das; Gautham Kumar; Sourav De 出版日期：2026-07-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
林狗
冷酷以山
快点毕业
整齐的孤菱
v0id
美好亦云
李杨
sadboy
七听
璐璐
YifanWang
你嵙这个期刊没买
Xixi
平常迎天
拉迪姆
GingerF
OK
忧心的曼凝
agathahqs
皖公网安备34019202002308
