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 Oxygen vacancies enhance pseudocapacitive charge storage properties of MoO3−x 氧空位增强MoO3-x的赝电容电荷存储性能
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期刊：Nature Materials 作者：Hyung-Seok Kim; John B. Cook; Hai–Qing Lin; Jesse S. Ko; Sarah H. Tolbert; et al 出版日期：2016-12-05 |
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