Tunable electronic properties and band alignments of MoSi2N4/GaN and MoSi2N4/ZnO van der Waals heterostructures

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标题	Tunable electronic properties and band alignments of MoSi2N4/GaN and MoSi2N4/ZnO van der Waals heterostructures MoSi2N4/GaN和MoSi2N4/ZnO van der Waals异质结构的可调谐电子性质和能带排列相关领域异质结材料科学带隙宽禁带半导体范德瓦尔斯力直接和间接带隙半导体单层凝聚态物理电子能带结构光电子学电子结构纳米技术化学物理有机化学分子
网址	https://doi.org/10.1063/5.0083736
DOI	10.1063/5.0083736 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jin Quan Ng; Qingyun Wu; L. K. Ang; Yee Sin Ang 出版日期：2022-03-07
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