Holes in silicon are heavier than expected: Transport properties of extremely high mobility electrons and holes in silicon MOSFETs

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标题	Holes in silicon are heavier than expected: Transport properties of extremely high mobility electrons and holes in silicon MOSFETs 相关领域硅材料科学光电子学电子电子迁移率凝聚态物理领域（数学）场效应晶体管工程物理 MOSFET
网址	https://doi.org/10.1103/g29w-st3q
DOI	10.1103/g29w-st3q doi
其它	期刊：Physical review. B./Physical review. B 作者：J. P. Wendoloski; J. Hillier; S. D. Liles; M. J. Rendell; Y. Ashlea-Alava; et al 出版日期：2025-10-28
求助人	migratorybird 在 2026-03-19 10:01:29 发布自上海，悬赏 10 积分
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