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Asymmetric Band Alignments and Remark Defect Tolerability at the Interface of Highk Dielectric Sb2O3 and 2D Semiconductor MoS2 高k介电Sb2O3和2D半导体MoS2界面的不对称能带排列和备注缺陷容限
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期刊: 作者: 出版日期:2024-06-13 |
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