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 Band order reversal and valley engineering driving to dual high electron and hole mobility in strained monolayer BS 应变单层BS中双高电子和空穴迁移率的带序反转和谷工程驱动
相关领域
单层
电子迁移率
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Gege Du; Chunhui Li; Lei Shan; Mengjian Zhu; Long Cheng 出版日期：2024-10-21 |
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