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标题
Switching Transient-Based Junction Temperature Estimation of SiC MOSFETs With Aging Compensation
基于开关瞬态的老化补偿SiC MOSFET结温估计
相关领域
结温 微控制器 瞬态(计算机编程) MOSFET 电感 切换时间 电子工程 补偿(心理学) 计算机科学 电压 电气工程 材料科学 拓扑(电路) 算法 物理 工程类 晶体管 热的 精神分析 心理学 气象学 操作系统
网址
DOI
10.1109/tpel.2024.3404873 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Power Electronics
作者:Masoud Farhadi; Rahman Sajadi; Bhanu Teja Vankayalapati; Bilal Akin
出版日期:2024-05-27
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小Q 在 2025-12-05 17:49:31 发布自四川,悬赏 10 积分
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