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 Nano- and micrometer-scale thin-film-interconnection failure theory and simulation and metallization lifetime prediction, Part 1: A general theory of vacancy transport, mechanical-stress generation, and void nucleation under electromigration in relation to multilevel-metallization degeneration and failure 纳米和微米级薄膜互连失效理论、模拟和金属化寿命预测，第1部分：与多级金属化退化和失效相关的空位传输、机械应力产生和电迁移下空位成核的一般理论
相关领域
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材料科学
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期刊：Russian Microelectronics 作者：K. A. Valiev; R. V. Goldstein; Yu. V. Zhitnikov; Т. М. Махвиладзе; М. Е. Сарычев 出版日期：2009-11-01 |
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