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标题
Realizing Performance Balance by Band Offset and Defect Concentration Engineering in HfO x /ZrO y Self-Rectifying Memristor
相关领域
带偏移量 材料科学 偏移量（计算机科学） 光电子学 电子工程 记忆电阻器 宽禁带半导体 电气工程 计算机科学 工程类 带隙 价带 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1109/led.2025.3578071
DOI
10.1109/led.2025.3578071 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Yu Zhang; Sheng‐Guang Ren; Wenbin Zuo; Yi-Bai Xue; Jiayi Sun; et al
出版日期：2025-06-09
求助人
zhw 在 2025-11-22 19:50:42 发布自美国，悬赏 10 积分
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