| 标题 |
 Research on the Influence of Carbon Sources and Buffer Layers on the Homogeneous Epitaxial Growth of 4H-SiC 碳源和缓冲层对4H-SiC均匀外延生长影响的研究
相关领域
同种类的
外延
缓冲器（光纤）
材料科学
碳纤维
光电子学
纳米技术
化学工程
工程物理
计算机科学
复合材料
物理
图层（电子）
工程类
统计物理学
复合数
电信
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Weilong Yuan; Yicheng Pei; Yunkai Li; Na Guo; Xiuhai Zhang; et al 出版日期：2024-04-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
天才小能喵
fire未来式
shinysparrow
寻道图强
cctv18
SOLOMON
坚强的广山
Lucas
bruna
完美世界
兴奋一斩
Jasper
NexusExplorer
共享精神
小二郎
沫豆
宜醉宜游宜睡
紫金大萝卜
所所
Akim
皖公网安备34019202002308
