CH4/H2: A universal reactive ion etch for II-VI semiconductors?

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标题	CH4/H2: A universal reactive ion etch for II-VI semiconductors? CH4/H2：II-VI半导体的通用反应离子蚀刻？相关领域半导体三元运算碲化镉光电反应离子刻蚀蚀刻（微加工）宽禁带半导体材料科学氢化合物半导体甲烷离子化学光电子学分析化学（期刊）纳米技术外延图层（电子）有机化学程序设计语言计算机科学
网址	https://doi.org/10.1063/1.106929
DOI	10.1063/1.106929 doi
其它	期刊：Applied physics letters 作者：M.A. Foad; C. D. W. Wilkinson; C. Dunscomb; R. H. Williams 出版日期：1992-05-18
求助人	Naruto 在 2024-05-16 08:39:40 发布自日本，悬赏 10 积分
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