Vertical ferroelectric thin-film transistor array with a 10-nm gate length for high-density three-dimensional memory applications

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标题	Vertical ferroelectric thin-film transistor array with a 10-nm gate length for high-density three-dimensional memory applications 用于高密度三维存储的10nm栅长垂直铁电薄膜晶体管阵列相关领域材料科学铁电性非易失性存储器光电子学哈夫尼亚晶体管与非门制作逻辑门电子工程电气工程电压电介质医学立方氧化锆陶瓷替代医学病理复合材料工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0097795
DOI	10.1063/5.0097795 doi
其它	期刊：Applied physics letters 作者：Ik‐Jyae Kim; Minkyu Kim; Jang‐Sik Lee 出版日期：2022-07-25
求助人	hhhuan 在 2024-05-14 13:57:22 发布自山东，悬赏 10 积分
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