Modeling of Retention Failure Behavior in Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memory

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标题	Modeling of Retention Failure Behavior in Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memory
网址	https://doi.org/10.1109/LED.2010.2102002
DOI	10.1109/LED.2010.2102002 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Bin Gao; Haowei Zhang; Bing Chen; Lifeng Liu; Xiaoyan Liu; et al 出版日期：2011
求助人	朴实的如蓉在 2025-09-25 16:13:59 发布自福建，悬赏 10 积分
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