| 标题 |
 Resistive switching modulation by incorporating thermally enhanced layer in HfO2-based memristor 通过将热增强层结合到基于RDX的记忆阻器中进行阻变调制
相关领域
材料科学
记忆电阻器
双层
电阻随机存取存储器
重置（财务）
神经形态工程学
电压
调制（音乐）
光电子学
氧化物
热传导
图层（电子）
纳米技术
电子工程
电气工程
复合材料
计算机科学
人工神经网络
美学
金融经济学
经济
生物
哲学
工程类
遗传学
冶金
膜
机器学习
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanotechnology 作者：Xing Li; Zhe Feng; Jianxun Zou; Zuheng Wu; Zuyu Xu; et al 出版日期：2023-10-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
璐璐
DW
changping
Aurora
lalala
aaaa
牧青
极限001
v0id
嘻嘻哈哈
aajhajkahna
渡人舟
林狗
maxiaole
科研狗
学术文献互助
行走的荷尔蒙
我能私信骂你吗
学霸业
秋风
皖公网安备34019202002308
