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标题
Improving Short Channel Effects by Reformed U-Channel UTBB FD SOI MOSFET: A Feasible Scaled Device
改进型U沟道UTBB FD SOI MOSFET改善短沟道效应：一种可行的缩放器件
相关领域
MOSFET 材料科学 绝缘体上的硅 阈值电压 光电子学 排水诱导屏障降低 短通道效应 晶体管 硅 场效应晶体管 电气工程 兴奋剂 信道长度调制 CMOS芯片 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-020-00861-z
DOI
10.1007/s12633-020-00861-z doi
其它 期刊：Silicon
作者：Moslem Ghassemi; Ali A. Orouji
出版日期：2021-01-06
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无限萤 在 2025-08-29 02:00:02 发布，悬赏 10 积分
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