MOSFET
材料科学
绝缘体上的硅
阈值电压
光电子学
排水诱导屏障降低
短通道效应
晶体管
硅
场效应晶体管
电气工程
兴奋剂
信道长度调制
CMOS芯片
电压
工程类
作者
Moslem Ghassemi,Ali A. Orouji
出处
期刊:Silicon
[Springer Science+Business Media]
日期:2021-01-06
卷期号:14 (3): 1013-1022
被引量:10
标识
DOI:10.1007/s12633-020-00861-z
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