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 Decreasing the V th shift of InGaZnO thin-film transistors under positive and negative bias stress using SU-8 as etch-stop and passivation layer 相关领域
钝化
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：M. Lopez-Castillo; Pablo Toledo; J. A. Andraca Adame; Rodolfo García; F.J. Hernandez-Cuevas; et al 出版日期：2020-09-30 |
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