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 Compositionally graded Ga1−xInxP buffers grown by static and dynamic hydride vapor phase epitaxy at rates up to 1 μm/min 通过静态和动态氢化物气相外延以高达1 μ m/min的速率生长的组成分级的Ga1-XinXp缓冲液
相关领域
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kevin L. Schulte; David R. Diercks; Harvey Guthrey; John S. Mangum; Corinne E. Packard; et al 出版日期：2021-02-01 |
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冷傲碧萱
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