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标题
A low-power memristor based on 2H–MoTe2 nanosheets with synaptic plasticity and arithmetic functions
基于2H-MoTe2纳米片的具有突触可塑性和算术功能的低功耗忆阻器
相关领域
记忆电阻器 纳米片 神经形态工程学 冯·诺依曼建筑 材料科学 兴奋性突触后电位 突触后电位 长时程增强 突触后电流 峰值时间相关塑性 计算机科学 人工神经网络 纳米技术 神经科学 电子工程 化学 抑制性突触后电位 工程类 机器学习 受体 操作系统 生物 生物化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mtnano.2022.100233
DOI
10.1016/j.mtnano.2022.100233 doi
其它 期刊：Materials Today Nano
作者：T. Yu; Z. Zhao; Helong Jiang; Zhengjin Weng; Yuan Fang; et al
出版日期：2022-06-06
求助人
犹豫书雪 在 2025-05-22 23:25:13 发布自四川，悬赏 10 积分
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