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标题
Multi-State Resistance Tuning via Voltage Ramp Rates in Ni/Mo/MoO3/Ni Memristors for High-Density Memory Applications
用于高密度存储器应用的Ni/Mo/MoO3/Ni忆阻器中通过电压斜坡率进行多态电阻调谐
相关领域
记忆电阻器 材料科学 电压 光电子学 随机存取存储器 电子工程 电气工程 计算机科学 工程类 计算机硬件
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10982527/10984438/109847...
DOI
10.1109/iatmsi64286.2025.10984785 doi
其它 期刊：2025 IEEE International Conference on Interdisciplinary Approaches in Technology and Management for Social Innovation (IATMSI)
作者：Maryala Praveen; Atul Kumar Nishad; Vipul Kumar Nishad
出版日期：2025-05-10
求助人
美好的秋烟 在 2025-06-30 17:17:55 发布自贵州，悬赏 10 积分
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