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标题
Device characteristics of AlGaN-channel HFETs with improved Ohmic contact resistanc
欧姆接触电阻提高的AlGaN沟道HFET的器件特性
相关领域
欧姆接触 材料科学 光电子学 频道（广播） 工程物理 纳米技术 电气工程 图层（电子） 工程类
网址
https://www.semanticscholar.org/paper/Device-characteristics...
AI链接 atlas.jp
DOI
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求助人
顺顺 在 2025-05-12 16:53:24 发布自北京，悬赏 10 积分
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