Modeling of a tunable memory device made with a double-gate MoS2 FET and graphene floating gate

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标题	Modeling of a tunable memory device made with a double-gate MoS2 FET and graphene floating gate 双栅MoS2 FET和石墨烯浮栅可调谐存储器件的建模相关领域材料科学非易失性存储器光电子学逻辑门栅极电介质闪存栅氧化层等效门电路晶体管电荷陷阱闪光灯电气工程计算机科学与非门电压工程类嵌入式系统
网址	https://doi.org/10.1063/5.0060525
DOI	10.1063/5.0060525 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Michael A. Rodder; Ananth Dodabalapur 出版日期：2021-10-05
求助人	123 在 2025-03-16 21:38:22 发布自湖北，悬赏 10 积分
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