A Curvature-Compensated MOS Voltage Reference with 4.3 ppm/° Drift and 0.05% σ/μ Variation

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标题	A Curvature-Compensated MOS Voltage Reference with 4.3 ppm/° Drift and 0.05% σ/μ Variation
网址	http://dx.doi.org/10.1109/mwscas67364.2026.11680725
DOI	10.1109/mwscas67364.2026.11680725 doi
其它	期刊：2026 IEEE 69th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS) 作者：Michael Sekyere; Daniel Adjei; Kelvin W. Tamakloe; Babar Ali; Degang Chen 出版日期：2026-08-01
求助人	xelloss 在 2026-10-17 19:36:21 发布自浙江，悬赏 10 积分
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