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Multilevel resistive switching in graphene oxide-multiferroic thin-film-based bilayer RRAM device by interfacial oxygen vacancy engineering
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网址
https://doi.org/10.1007/s00339-021-05243-9
DOI
10.1007/s00339-021-05243-9 doi
其它 期刊：Applied Physics A
作者：Anjan Kumar Jena; Mousam Charan Sahu; Sandhyarani Sahoo; Sameer Kumar Mallik; Gopal K. Pradhan; et al
出版日期：2022-02-18
求助人
崽崽 在 2026-01-16 19:36:49 发布自江西，悬赏 10 积分
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