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 Comparison of trapped charges and hysteresis behavior in hBN encapsulated single MoS2 flake based field effect transistors on SiO2 and hBN substrates 相关领域
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期刊：Nanotechnology 作者：Changhee Lee; Servin Rathi; Muhammad Atif Khan; Dongsuk Lim; Yunseob Kim; et al 出版日期：2018-05-22 |
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