| 标题 |
 Comparison of trapped charges and hysteresis behavior in hBN encapsulated single MoS2 flake based field effect transistors on SiO2 and hBN substrates 相关领域
材料科学
磁滞
二硫化钼
光电子学
晶体管
基质（水族馆）
场效应晶体管
电介质
阈值电压
半导体
纳米技术
电压
凝聚态物理
复合材料
电气工程
物理
海洋学
地质学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanotechnology 作者：Changhee Lee; Servin Rathi; Muhammad Atif Khan; Dongsuk Lim; Yunseob Kim; et al 出版日期：2018-05-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
invisight
Yinxb
DW
蓝天
xing_xing
aajhajkahna
aaaa
pluto
林狗
嘻嘻哈哈
科研狗
123
璐璐
OK
重要柠檬
152455
七听
小迪
秦艽
乐空思
皖公网安备34019202002308
