| 标题 |
High‐mobility suspended MoS2 devices with tunable threshold voltage 相关领域
材料科学
阈值电压
光电子学
微电子
二硫化钼
晶体管
基质(水族馆)
接触电阻
半导体
场效应晶体管
阈下传导
电压
电子迁移率
阈下斜率
PMOS逻辑
半导体器件
排水诱导屏障降低
MOSFET
本征半导体
降级(电信)
工作(物理)
工作职能
电接点
电流(流体)
锡
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:InfoMat 作者:Jiahao Yan; Xu Han; Dongke Rong; Zhaoxu Chen; Xinyue Li; et al 出版日期:2026 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)