Approaching Ohmic Contacts for Ideal Monolayer MoS2 Transistors Through Sulfur‐Vacancy Engineering

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标题	Approaching Ohmic Contacts for Ideal Monolayer MoS2 Transistors Through Sulfur‐Vacancy Engineering 用硫空位工程研究理想单层MoS2晶体管的欧姆接触相关领域单层欧姆接触接触电阻材料科学晶体管兴奋剂光电子学肖特基势垒空位缺陷半导体场效应晶体管纳米技术饱和电流等效串联电阻电气工程电压化学图层（电子）结晶学二极管工程类
网址	https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/37551044
DOI	10.1002/smtd.202300611 doi
求助人	可爱的小孩疼在 2023-08-19 19:35:56 发布自北京，悬赏 10 积分
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