标题 |
Experimental and Numerical Study on the Second Order Harmonic (H2) and Third Order Intermodulation Distortion (IMD3) Response of Scandium Aluminum Nitride Based FBAR Devices with Different Scandium Doping Levels
不同钪掺杂水平氮化钪铝基FBAR器件二次谐波(H2)和三次互调畸变(IMD3)响应的实验和数值研究
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