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 Mechanism and Application of NMOS Leakage with Intra-Well Isolation Breakdown by Voltage Contrast Detection 电压对比检测阱内隔离击穿NMOS泄漏机理及应用
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Hunglin Chen; Rongwei Fan; Hsiaochi Lou; Mingsheng Kuo; Yiping Huang 出版日期：2013-08-31 |
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