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 First Demonstration of Monolithic CFET Inverter at 48nm Gate Pitch Toward Future Logic Technology Scaling 面向未来逻辑技术扩展的48纳米栅极间距单片CFET反相器首次演示
相关领域
逆变器
逻辑门
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计算机科学
电子工程
电气工程
通流晶体管逻辑
逻辑综合
工程类
晶体管
电压
数学
几何学
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：S. Liao; Yang Liu; Wei-Xiang You; Ting Wu; Y. C. Lee; et al 出版日期：2024-12-07 |
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