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 Gate Stacked (GS) Junctionless Nanotube MOSFET: Design and Analysis 栅极堆叠(GS)无结纳米管MOSFET的设计与分析
相关领域
材料科学
MOSFET
纳米管
光电子学
纳米技术
硅
泄漏（经济）
电介质
碳纳米管
电气工程
晶体管
电压
工程类
宏观经济学
经济
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期刊：Silicon 作者：Shashi Bala; Raj Kumar; P Hrisheekesha; Harpal Singh; Arvind Kumar 出版日期：2022-09-01 |
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ljh
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