Comparative study of GaN betavoltaic battery based on p-n junction and Schottky barrier diode

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标题	Comparative study of GaN betavoltaic battery based on p-n junction and Schottky barrier diode 基于p-n结和肖特基势垒二极管的GaN β伏打电池的比较研究相关领域肖特基势垒光电子学材料科学肖特基二极管电池（电）二极管金属半导体结 p-n结能量转换效率氮化镓半导体功率（物理）纳米技术物理量子力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2019.108595
DOI	10.1016/j.radphyschem.2019.108595 doi
其它	期刊：Radiation Physics and Chemistry 作者：Renzhou Zheng; Jingbin Lu; Yumin Liu; Xiaoyi Li; Xu Xu; et al 出版日期：2019-11-22
求助人	11 在 2025-07-28 12:21:42 发布自江西，悬赏 10 积分
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